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| 產(chǎn)品特性 |
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精確的只測量晶片厚度 |
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| 關(guān)于本產(chǎn)品的詳細(xì)內(nèi)容，請使用右上方的圖標(biāo)下載目錄后確認(rèn)。 | |
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| SI-F80R 系列使用近紅外 SLD，可穿過硅、砷化鎵、碳化硅、磷化銦、非晶硅及其它半導(dǎo)體。即使晶片已封上 BG（背磨）膠帶，也可精確測出晶片厚度。 |
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同類中最高的規(guī)格 |
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幾乎不受晶片圖案的影響 |
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| 關(guān)于本產(chǎn)品的詳細(xì)內(nèi)容，請使用右上方的圖標(biāo)下載目錄后確認(rèn)。 | |
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| 通過減小光點(diǎn)直徑和光點(diǎn)內(nèi)的表面相差，可最大限度的減少晶片表面圖案的變化和測量警報(bào)的發(fā)生次數(shù)。 |
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之前的所有問題迎刃而解 |
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| 關(guān)于本產(chǎn)品的詳細(xì)內(nèi)容，請使用右上方的圖標(biāo)下載目錄后確認(rèn)。 | |
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| [傳統(tǒng)方式] 接觸式測量 |
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使用兩個(gè)傳感器一上一下不接觸晶片進(jìn)行測量 |
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| • 測量時(shí)可能會(huì)損壞晶片。 • 傳感器將測量包括 BG 膠帶在內(nèi)的高度，一旦膠帶厚度發(fā)生變化，整個(gè)結(jié)果就會(huì)出現(xiàn)誤差。 |
• 很難在一條直線上對(duì)齊兩個(gè)傳感器的光軸。 • 傳感器將測量包括 BG 膠帶在內(nèi)的厚度，一旦膠帶厚度發(fā)生變化，整個(gè)結(jié)果就會(huì)出現(xiàn)誤差。 |
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| 緊靠生產(chǎn)線進(jìn)行簡單精確的測量 | |
在生產(chǎn)線中持續(xù)監(jiān)控 | |
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| • 只需將傳感器放在距離晶片 80 mm 的位置，即可輕松進(jìn)行測量。 • 不接觸晶片，避免晶片損傷。 • 傳感器可直接只測量晶片厚度，因此測量不受 BG 膠帶的影響。 |
• 小巧的傳感頭可安裝在距離晶片 80 mm 的位置，因此可在拋光的同時(shí)在設(shè)備內(nèi)部持續(xù)監(jiān)控晶片厚度。 | ||
相關(guān)產(chǎn)品請下載：
http://m.risewear.cn/company/datum/2013091615505600001.htm
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