1. JFET的引腳識(shí)別

場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極相當(dāng)于晶體管的基極，源極和漏極分別對(duì)應(yīng)晶體管的發(fā)射極和集電極。將萬(wàn)用表設(shè)置為“R×1k”，用兩根表筆測(cè)量 每?jī)蓚€(gè)引腳之間的正反向 電阻。當(dāng)兩個(gè)引腳的正反向電阻均為幾千歐時(shí)，這兩個(gè)引腳為漏極和源極（可互換），其余引腳為柵極。對(duì)于4腳結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管，另一極為屏蔽極（使用時(shí)接地）。

2.門(mén)判斷

將萬(wàn)用表的黑色表筆接到三極管的一個(gè)電極上，紅色表筆分別接到另外兩個(gè)電極上。如果兩次測(cè)得的電阻值都很大，說(shuō)明是反向電阻。所以它是一個(gè)N溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管，黑色引線連接到柵極。

制造工藝決定了場(chǎng)效應(yīng)管的源漏是對(duì)稱(chēng)的，可以互換使用 ，不影響電路的正常工作，所以不需要區(qū)分。源極和漏極之間的電阻約為幾千歐姆。

請(qǐng)注意，此方法不能用于確定 MOSFET 的柵極。由于MOSFET的輸入電阻極高，而柵極和源極之間的極間電容很小，所以在測(cè)量時(shí)只要有少量電荷，就可以在極間電容上形成高電壓，這很容易損壞晶體管。

3. 放大估計(jì)

將萬(wàn)用表設(shè)置為“R×100”，紅色表筆接源極，黑色表筆接漏極，相當(dāng)于給場(chǎng)效應(yīng)管加了1.5V的電源電壓。此時(shí)，指針指示漏極和源極之間的電阻值。

然后用手指捏住柵極，將人體感應(yīng)電壓作為輸入信號(hào)加到柵極上。由于三極管的 放大作用 ，UDS和ID都會(huì)發(fā)生變化，這意味著漏極和源極之間的電阻也發(fā)生了變化，表筆擺動(dòng)幅度很大。如果捏柵極時(shí)擺幅很小，說(shuō)明晶體管的放大能力弱；如果引線不動(dòng)，則表明晶體管已損壞。

由于人體感應(yīng)到的50Hz交流電壓較高，而不同的場(chǎng)效應(yīng)管用電阻檔測(cè)量時(shí)工作點(diǎn)可能不同，用手捏閘門(mén)時(shí)手可能會(huì)左右擺動(dòng)。當(dāng)晶體管的 RDS 減小時(shí)，表筆向右擺動(dòng)，如果 RDS 增加，表筆向左擺動(dòng)。

無(wú)論手的擺動(dòng)方向如何，只要有明確的擺動(dòng)，就意味著晶體管可以放大。

這種方法也適用于測(cè)量MOS晶體管。為了保護(hù)MOS場(chǎng)效應(yīng)管，需要握住絕緣手柄，用金屬棒連接?xùn)艠O，防止人體感應(yīng)電荷直接加到柵極上，損壞晶體管。

每次測(cè)量MOS管后，GS結(jié)電容上會(huì)有少量電荷，電壓UGS就會(huì)建立起來(lái)。然后，如果繼續(xù)測(cè)試，表筆可能不動(dòng)，將GS極之間的電路短路即可解決問(wèn)題。

4、注意事項(xiàng)

1  、為安全使用場(chǎng)效應(yīng)管，在電路設(shè)計(jì)中，不得超過(guò)功耗、最大漏源電壓、最大柵源電壓、最大電流等限制參數(shù).

2 、使用各類(lèi)場(chǎng)效應(yīng)管時(shí)，必須嚴(yán)格按照 要求的偏壓插入電路，并觀察場(chǎng)效應(yīng)管偏壓的極性。例如，結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)門(mén)的源漏之間有一個(gè)PN結(jié)，所以N溝道門(mén)不能正偏，P溝道門(mén)也不能負(fù)偏。

3  、由于MOS場(chǎng)效應(yīng)管的輸入阻抗極高， 在運(yùn)輸和儲(chǔ)存過(guò)程中必須將引出引腳 短接。此外，應(yīng)使用金屬屏蔽封裝，以防止外部感應(yīng)電位破壞柵極。

特別是，最好將MOS場(chǎng)效應(yīng)管存放在金屬盒中，而不是塑料盒中。此外，還應(yīng)注意晶體管的耐濕性。

4 、為防止場(chǎng)效應(yīng)管柵極感應(yīng)擊穿，所有測(cè)試儀器、工作臺(tái)、電烙鐵、電路本身都必須良好接地，即：

(1)焊接引腳時(shí)，先焊接源極。

(2)在接入電路前，三極管的所有引線端保持相互短接，焊接后去除短接材料。

(3)當(dāng)您從元件架上取下晶體管時(shí)，人體應(yīng)適當(dāng)接地 ，如使用接地環(huán)。

(4)如果使用先進(jìn)的氣熱式電烙鐵，焊接場(chǎng)效應(yīng)管更方便，但要確保安全。

圖 8. 氣體加熱焊接

(5) 絕對(duì)不允許在未關(guān)閉電源的情況下將晶體管插入或拉入電路中。

5 、安裝場(chǎng)效應(yīng)管時(shí)，安裝位置應(yīng)盡量遠(yuǎn)離發(fā)熱體。并且為了防止晶體管的振動(dòng)，需要將晶體管外殼緊固。另外，我們彎曲引腳引線時(shí)，應(yīng)高于根部5毫米，以防止損壞引腳并導(dǎo)致漏氣。

6. 使用VMOS晶體管時(shí)，必須加合適的散熱片。以VNF306為例，晶體管加裝140×140×4（mm）散熱器后，最大功率只能達(dá)到30W。

7  、多個(gè)晶體管并聯(lián)后，由于極間電容和分布電容增大，放大器的高頻特性變差，容易通過(guò)反饋引起高頻寄生振蕩。為此，并聯(lián)的復(fù)合晶體管一般不超過(guò)四個(gè)，抗寄生振蕩電阻應(yīng)串聯(lián)在每個(gè)晶體管的基極或柵極上。

8. 結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的柵源電壓不能反轉(zhuǎn)，可以開(kāi)路存儲(chǔ)。MOS場(chǎng)效應(yīng)管在不使用時(shí)，由于其輸入電阻很高，必須將每個(gè)電極短接，以防止晶體管被外電場(chǎng)損壞。

9  、焊接時(shí)，電烙鐵外殼必須外接地線 ，防止電烙鐵帶電損壞三極管。對(duì)于少量的焊接，也可以將烙鐵加熱后拔掉插頭或切斷電源進(jìn)行焊接。尤其是焊接MOS場(chǎng)效應(yīng)管時(shí)，要按順序焊接源漏柵，并切斷電路。

總之，要保證場(chǎng)效應(yīng)管的安全使用，需要注意的事項(xiàng)是多種多樣的，安全措施也是多種多樣的。廣大專(zhuān)業(yè)技術(shù)人員，特別是電子愛(ài)好者，應(yīng)根據(jù)自己的實(shí)際情況，采取切實(shí)可行的措施，安全有效地使用場(chǎng)效應(yīng)管。

備注：本文由IC先生網(wǎng)（www.mrchip.cn）特別整理于工控網(wǎng)上面，請(qǐng)勿轉(zhuǎn)載。圖片來(lái)源網(wǎng)絡(luò)，如有侵權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。