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制作一顆硅晶圓需要的半導(dǎo)體設(shè)備大致有十個(gè),它們分別是單晶爐、氣相外延爐、氧化爐、磁控濺射臺、化學(xué)機(jī)械拋光機(jī)、光刻機(jī)、離子注入機(jī)、引線鍵合機(jī)、晶圓劃片機(jī)、晶圓減薄機(jī)。
標(biāo)簽: 晶圓 半導(dǎo)體
入網(wǎng)時(shí)間:2022-04-02
IGBT作為功率器件,在逆變器中承擔(dān)著功率變換和能量傳輸?shù)淖饔?,是逆變器的心臟。同時(shí),IGBT又是逆變器中最不可靠的元器件之一,對器件的溫度和電流非常敏感,稍有超標(biāo)便會(huì)炸機(jī)且不可修復(fù)。
標(biāo)簽: IGBT 光伏逆變器
入網(wǎng)時(shí)間:2022-03-31
電感線圈是由導(dǎo)線一圈一圈地繞在絕緣管上,導(dǎo)線彼此互相絕緣,而絕緣管可以是空心的,也可以包含鐵芯或磁粉芯,簡稱電感。在電子制作中雖然使用得不是很多,但它們在電路中同樣重要。
標(biāo)簽: 電感器
入網(wǎng)時(shí)間:2022-03-30
場效應(yīng)晶體管是一種利用控制輸入電路的電場效應(yīng)來控制輸出電路電流的半導(dǎo)體器件,并以此命名。因?yàn)樗灰揽堪雽?dǎo)體中的多數(shù)載流子來導(dǎo)電,所以又稱為單極晶體管。
標(biāo)簽: 場效應(yīng)晶體管
入網(wǎng)時(shí)間:2022-03-28
IGBT的開關(guān)過程主要是由柵極電壓VGE控制的,由于柵極和發(fā)射極之間存在著寄生電容艮,因此IGBT的開通與關(guān)斷就相當(dāng)于對CGE進(jìn)行充電與放電。
標(biāo)簽: IGBT
入網(wǎng)時(shí)間:2022-03-26
我們把電容器的兩極板間的電勢差增加1伏所需的電量,叫做電容器的電容。電容的符號是C。電容是電子設(shè)備中大量使用的電子元件之一,廣泛應(yīng)用于隔直,耦合,旁路,濾波,調(diào)諧回路,能量轉(zhuǎn)換,控制電路等方面。
標(biāo)簽: 電容器
入網(wǎng)時(shí)間:2022-03-25
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