物理氣相傳輸系統(tǒng)(PVT):碳化硅晶體的創(chuàng)新生產(chǎn)方式
系統(tǒng)設計與特性
PVA TePla公司的物理氣相傳輸系統(tǒng)(PVT)在碳化硅材料生產(chǎn)中扮演著至關重要的角色,其獨特特點包括:
產(chǎn)品組合的多樣性:該系統(tǒng)提供標準化的系統(tǒng)和為客戶定制的解決方案,以滿足不同生產(chǎn)需求。
緊湊設計理念:采用緊湊型產(chǎn)品設計,為泵和電源提供高度靈活性的選擇。
廣泛的配件選擇和高度自動化:通過豐富的配件選擇和高度自動化,實現(xiàn)了工藝的高復制性和提高生產(chǎn)效率。
接口靈活性:PVA TePla公司提高了應用靈活性,為客戶提供特定過程控制系統(tǒng)接口,如半導體行業(yè)中常見的制造執(zhí)行系統(tǒng)(MES)。
實時技術支持:客戶可以隨時聯(lián)系PVA TePla公司(https://www.pvatepla.com.cn/)的專家,及時對工藝制作過程中可能發(fā)生的意外或變化進行修正、調(diào)整和系統(tǒng)優(yōu)化。
(圖片來源于PVA TePla公司官網(wǎng))
PVT工藝及碳化硅的應用
多年來,物理氣相傳輸(PVT)工藝已成為生產(chǎn)半導體材料中寬禁帶半導體材料的碳化硅單晶的標準方法。在PVT過程中,通常使用SiC粉末作為SiC源材料,在超過2000°C的高溫下通過升華轉(zhuǎn)化為氣相。然后,在已有籽晶上從氣體成分凝華形成SiC單晶。
隨著可再生能源的擴張和移動應用對電力驅(qū)動需求的增長,高效、輕質(zhì)的電力電子設備市場正在不斷擴大。盡管硅具有幾乎理想的微電子學特性,但在當前電子級應用中,硅已接近其物理極限。相比之下,碳化硅具有更大的禁帶帶隙、更高的擊穿場強和更高的熱導率,使其成為制造高達千伏范圍的電子器件的理想選擇。
SiCma系統(tǒng)-創(chuàng)新的碳化硅晶體生產(chǎn)
PVA TePla公司的SiCma系統(tǒng)(https://www.pvatepla.com.cn/overview-products/ )專為通過物理氣象傳輸(PVT)方式生產(chǎn)碳化硅晶體而設計。在此過程中,粉末狀的原材料在高溫下被加熱和升華,最終沉積在特定準備的基片上。通過使用一個感應線圈在千赫茲范圍內(nèi)完成加熱,系統(tǒng)在全球范圍內(nèi)積累了十多年的經(jīng)驗。
?。▓D片來源于PVA TePla公司官網(wǎng))
SiCma系統(tǒng)支持直徑100至150毫米(4"–6")的可用籽晶片,借助高度自動化和緊湊設計,最大程度地實現(xiàn)了生產(chǎn)規(guī)模的提升。此外,移動系統(tǒng)用于裝載和卸載設備,同時提供了多個可在模塊基礎上添加的選項,包括真空泵和測量設備。
產(chǎn)品數(shù)據(jù)概覽
最大晶體直徑:6"
4英寸石英管的內(nèi)徑:286 mm
6英寸石英管的內(nèi)徑:378 mm
頻率:6-10 kHz
通過持續(xù)的進一步開發(fā)和與工業(yè)界、科學界的合作伙伴深入合作,PVA TePla公司致力于確保SiCma系統(tǒng)始終滿足當前碳化硅行業(yè)的嚴苛要求。
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