12nm工藝節(jié)點(diǎn)，刷新存儲效率

2020年末，美光科技（Micron）率先推出了基于176層TLC NAND的B47R存儲技術(shù)，采用更先進(jìn)的制程，相較于96層TLC NAND，成功縮小了30%的組件體積，并增加高達(dá)40%的存儲空間。此外，176層TLC NAND相較現(xiàn)有主流3D TLC支持更高速傳輸，可充分發(fā)揮PCIe Gen 4固態(tài)硬盤的帶寬優(yōu)勢。

創(chuàng)新電路架構(gòu)，解鎖更高性能

目前市場上采用的3D TLC固態(tài)硬盤運(yùn)行速度可達(dá)到1200 MT/s。而美光最新推出的B47R存儲，在擁有176層NAND的同時，也對存儲架構(gòu)進(jìn)行了重點(diǎn)更新。美光本次采用CuA（CMOS-under-array）架構(gòu)，通過創(chuàng)新的電路設(shè)計(jì)打造強(qiáng)大的處理性能，實(shí)現(xiàn)高達(dá)1600 MT/s的數(shù)據(jù)傳輸速率，同時將功耗維持在較低的水平，相較舊有同容量SSD盤性能在提高325 MB/s的狀況下，功耗僅上升0.2W，不增加整體系統(tǒng)的電力負(fù)荷。

更低延遲，深化應(yīng)用布局

此外，由于B47R優(yōu)化讀寫延遲達(dá)35%，進(jìn)一步提升了服務(wù)質(zhì)量（Quality of Service，QoS），可使得存儲裝置能夠迅速地適應(yīng)數(shù)據(jù)密集型的環(huán)境和工作負(fù)載，如數(shù)據(jù)中心設(shè)計(jì)、人工智能（AI）引擎、云存儲、邊緣計(jì)算和大數(shù)據(jù)分析等。在5G智能手機(jī)的應(yīng)用上，QoS的提升也意味著更高的應(yīng)用程序啟動效率，用戶可在不同程序之間無縫切換。結(jié)合5G低延遲網(wǎng)絡(luò)的傳輸速度，176層NAND運(yùn)用于盤上可望為用戶帶來更流暢的移動體驗(yàn)，實(shí)現(xiàn)多任務(wù)處理和超快的程序響應(yīng)能力。

在性價比方面，由于176層閃存的存儲密度為早期3D NAND的將近十倍，這使得存儲裝置可以在保有平實(shí)價格的前提下，存儲更多的信息、改善人們的日常生活，非常適合移動裝置、車載、客戶端及消費(fèi)型應(yīng)用。我們可以期待，高層數(shù)存儲會在未來幾年持續(xù)促進(jìn)下游設(shè)備的創(chuàng)新和技術(shù)發(fā)展。

至譽(yù)科技精選硬件ｘ自主開發(fā)固件

至譽(yù)科技與美光科技的合作關(guān)系，讓我們可以盡快地導(dǎo)入176層的新型閃存硬件。至譽(yù)科技的CFexpress存儲卡產(chǎn)品線與即將推出的E1.S固態(tài)硬盤皆支持176層閃存，順序?qū)懭胄阅芟噍^舊有提升至1.5倍左右。另外，至譽(yù)科技自主開發(fā)的固件算法，讓我們可以打造出擁有工業(yè)級和商用級性能的解決方案。更多產(chǎn)品和商業(yè)信息，請聯(lián)系我們了解：sales@exascend.com