全球工控內(nèi)存領(lǐng)導(dǎo)品牌宇瞻科技積極拓展工規(guī)內(nèi)存產(chǎn)品線，并在策略伙伴三星電子(SAMSUNG ELECTRONICS CO.,Ltd )全力支持下，推出首款搭載三星原廠工規(guī)等級顆粒的DDR4寬溫系列內(nèi)存，專為長時間運轉(zhuǎn)于極端溫度下之工業(yè)用設(shè)備提供強(qiáng)固型完整解決方案。結(jié)合Underfill加值技術(shù)，以及工規(guī)等級寬溫零組件，宇瞻DDR4寬溫系列內(nèi)存具備耐溫與高可靠性之特色，并整合抗震、抗熱沖擊(Thermal Shock)能力，擴(kuò)大寬溫內(nèi)存產(chǎn)品應(yīng)用的范圍，滿足嚴(yán)苛環(huán)境的工控產(chǎn)品需求。

全工規(guī)等級零組件  高低溫環(huán)境下穩(wěn)定性再進(jìn)擊

為了在嚴(yán)峻惡劣環(huán)境中仍能維持高效穩(wěn)定的運作性能，DDR4寬溫系列內(nèi)存不僅采用三星原廠工規(guī)等級寬溫顆粒，被動組件部份亦提升為全工規(guī)等級。寬溫系列內(nèi)存采用工規(guī)等級電容及電阻，最大耐溫能力高達(dá)125℃的電容可使電壓供應(yīng)在高溫環(huán)境下更穩(wěn)定；工規(guī)等級的精密電阻(±1%)，誤差率較低、匹配度較高，可大幅提升電路穩(wěn)定性及耐用度。此外，為避免惡劣環(huán)境導(dǎo)致的訊號傳輸不穩(wěn)定的問題，DDR4寬溫內(nèi)存PCB 加強(qiáng)鍍金厚度達(dá)30μ的金手指設(shè)計。

Underfill強(qiáng)固技術(shù) 提高產(chǎn)品可靠度

Underfill底部填充技術(shù)運用于內(nèi)存BGA 芯片底部，目的在強(qiáng)化產(chǎn)品抗震/抗熱沖擊能力。在面對高低溫差較大的情況時下，硅材料做成芯片與一般基板(PCB)材質(zhì)的熱膨脹系數(shù)不同，因此在熱循環(huán)的溫度沖擊試驗(Thermal Shock Test)中常會有相對位移產(chǎn)生，造成焊點脫落或斷裂，Underfill底部填充技術(shù)可有效提高錫球與電路板間焊點強(qiáng)度、降低熱應(yīng)力破壞、增加產(chǎn)品可靠度，進(jìn)而提高產(chǎn)品使用壽命。

宇瞻科技推出全新工業(yè)用寬溫DDR4 SODIMM內(nèi)存，容量最大可達(dá)16GB，頻率支持2133/2400MHz，搭載高質(zhì)量DDR4寬溫顆粒及工規(guī)等級組件，采用Underfill技術(shù)，能適應(yīng)兩極化的工作溫度，為系統(tǒng)帶來無懈可擊的耐用度。通過以極端冷熱溫度交替方式進(jìn)行的溫度沖擊試驗(Thermal Shock Test)，可于-40°C低溫到85°C高溫測試的溫度范圍內(nèi)運作，適用于軍事、車載、戶外、強(qiáng)固型計算機(jī)等工業(yè)用設(shè)備解決方案。

宇瞻科技DDR4 Wide Temperature系列內(nèi)存規(guī)格: