AMD先發(fā)制人,攜手SimpleTech合推DDR3模塊對抗英特爾
2007/7/11 9:58:00
Advanced Micro Devices公司(AMD)與SimpleTech(STEC)公司宣布合作定義面向基于DDR3的SDRAM存儲模塊的寄存器和其它規(guī)范,有望給對手英特爾一先發(fā)制人的沖擊。
兩家公司將定義并開發(fā)SDRAM寄存器雙列直插式內(nèi)存模塊(RDIMMs)。DDR3 RDIMM模塊被規(guī)劃為當(dāng)今基于DDR2方案的自然進(jìn)化方案。
雙方的工作在JEDEC內(nèi)部展開,JEDEC是一家大約由270家公司組成的聯(lián)盟,專門創(chuàng)建開放標(biāo)準(zhǔn)。
“AMD和SimpleTech(STEC)正領(lǐng)導(dǎo)我們行業(yè)進(jìn)行開放協(xié)作,以沿著順利的升級軌道推動DDR3,同時在每瓦特性能特性上進(jìn)一步改進(jìn)了功能,”AMD技術(shù)推動和架構(gòu)開發(fā)總監(jiān)Levi Murray表示。
雙方在定義總體方案中有特殊的作用。AMD定義接口時序和中斷特性,模塊和子系統(tǒng)供應(yīng)商SimpleTech(STEC)制定寄存器元件,以支持標(biāo)準(zhǔn)高度和VLP及ATCA應(yīng)用。
在這種新型設(shè)計中,寄存器和PLL功能被集成到單器件內(nèi),據(jù)稱能減少總體系統(tǒng)功耗。SimpleTech(STEC)還通過發(fā)信號的方法研制了外流式雙飛(inside-out dual fly),用于所有DDR3 RDIMM版圖。
密度范圍從512MB到32-GB。目前正在進(jìn)行驗證,預(yù)計2007年開始測試,2008年計劃實現(xiàn)生產(chǎn)。
兩家公司將定義并開發(fā)SDRAM寄存器雙列直插式內(nèi)存模塊(RDIMMs)。DDR3 RDIMM模塊被規(guī)劃為當(dāng)今基于DDR2方案的自然進(jìn)化方案。
雙方的工作在JEDEC內(nèi)部展開,JEDEC是一家大約由270家公司組成的聯(lián)盟,專門創(chuàng)建開放標(biāo)準(zhǔn)。
“AMD和SimpleTech(STEC)正領(lǐng)導(dǎo)我們行業(yè)進(jìn)行開放協(xié)作,以沿著順利的升級軌道推動DDR3,同時在每瓦特性能特性上進(jìn)一步改進(jìn)了功能,”AMD技術(shù)推動和架構(gòu)開發(fā)總監(jiān)Levi Murray表示。
雙方在定義總體方案中有特殊的作用。AMD定義接口時序和中斷特性,模塊和子系統(tǒng)供應(yīng)商SimpleTech(STEC)制定寄存器元件,以支持標(biāo)準(zhǔn)高度和VLP及ATCA應(yīng)用。
在這種新型設(shè)計中,寄存器和PLL功能被集成到單器件內(nèi),據(jù)稱能減少總體系統(tǒng)功耗。SimpleTech(STEC)還通過發(fā)信號的方法研制了外流式雙飛(inside-out dual fly),用于所有DDR3 RDIMM版圖。
密度范圍從512MB到32-GB。目前正在進(jìn)行驗證,預(yù)計2007年開始測試,2008年計劃實現(xiàn)生產(chǎn)。
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