在線監(jiān)測 CMP 工藝中的漿料特性可提供實時數(shù)據(jù)，以控制漿料的合格狀況并檢測磨料濃度的變 化。規(guī)格范圍內(nèi)穩(wěn)定的漿料密度可確保生產(chǎn)出高質(zhì)量的晶圓表面。

1    引言

化學機械平面化（CMP）是微電路制造過程中的關鍵生產(chǎn)步驟。電子組件越小，CMP 工藝越復雜?？蛻舻哪繕耸菗碛衅教梗饣?，拋光的晶圓。

拋光過程在潔凈室中進行，該潔凈室中的空氣每立方米包含少于一個灰塵顆粒。在拋光墊和晶片之間使用主要包含純水，化學試劑和不同拋光顆粒的漿料。漿料的“合格”取決于其穩(wěn)定性和污染等級。異物顆粒，溶解的二氧化碳和離子污染會干擾拋光工藝以及漿料顆粒的聚集體和附聚物。漿料特性的動態(tài)測量與定義的控制極限可用于確定漿料的合格狀況。

尤其是半導體行業(yè)中使用的多部分漿料會導致快速分離。即使?jié){料顆粒很小，由于較高的密度，這些顆粒也會向下移動。準均質(zhì)漿料通常以濃縮液形式輸送，并在現(xiàn)場用水稀釋。

如果在混合漿料后立即安裝了密度傳感器，可以立即看到泥漿已準備好使用。傳感器將每秒發(fā)送一次測量讀數(shù)，因此可以進行快速質(zhì)量控制

使用后，將漿液收集在廢物箱中。晶片拋光只能使用新 鮮且混合均勻的漿料。

2   結構

3   應用場合和優(yōu)勢

在線監(jiān)測可提供實時數(shù)據(jù)，以指示漿料合格狀況并檢測 磨料濃度的變化。通常，使用不同的漿料。每種漿料類 型都將通過理想（目標）密度值來識別。傳感器材料的 浸潤部分可以承受漿料成分的化學侵蝕。由于顆粒極小， 因此密度傳感器沒有磨損。 

只有在規(guī)格限制內(nèi)的穩(wěn)定漿料密度以及其他機器參數(shù) （如轉速，下壓力，拋光時間）才能保證令人滿意的晶片表面。

4   傳感器

L-Dens 7400 在線密度傳感器具有較低的運行成本并提供精確的結果。L-Dens 7400 傳感器的品種繁多，包括不同材料、工藝連接和通訊接口，可確保以最佳集成方式投入企業(yè)應用。

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